| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BS170RLRPG | ON Semiconductor | TO-92（TO-226） | MOSFET 60V 500mA N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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BS170ZL1 | ON Semiconductor | TO-92 | MOSFET 60V 500mA N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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BS170ZL1G | ON Semiconductor | TO-226-3，TO-92-3 長體 | MOSFET 60V 500mA N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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BSB008NE2LXXT | Infineon Technologies | MG-WDSON-2 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：180 ... | ||||||
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BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MG-WDSON-2，CanPAK M? | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：39 A，... | ||||||
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BSB012N03MX3GXT | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MG-WDSON-2，CanPAK M? | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSB012NE2LXXT BSB012NE2LXXUMA1 SP000756344，... | ||||||
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BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSB013NE2LXIXT BSB013NE2LXIXUMA1 SP000756346... | ||||||
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BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | CanPAK | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB014N04LX3G | Infineon Technologies | CanPAK | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | WDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MG-WDSON-2，CanPAK M? | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB018NE2LX G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB019N03LX G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 174A 1.9mOhm | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB024N03LX G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB027P03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSB027P03LX3GXT，... | ||||||
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BSB028N06NN3 G | Infineon Technologies | MG-WDSON-2 | 3719 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：90 A，... | ||||||
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BSB029P03NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSB029P03NX3GXT，... | ||||||
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BSB044N08NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 80V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSB044N08NN3GXT BSB044N08NN3GXUMA1 SP0006045... | ||||||
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BSB053N03LP G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 71A 5.3mOhm | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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