| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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AUIRFZ46NL | International Rectifier | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 55V, 53A, 16.5mOhm Automotive MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：53 A，電阻... | ||||||
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AUIRFZ48N | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220 | ||
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：64 A，安裝... | ||||||
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AUIRFZ48Z | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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AUIRFZ48ZS | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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AUIRFZ48ZSTRL | International Rectifier | D2PAK | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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AUIRFZ48ZSTRR | International Rectifier | D2PAK | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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BLD6G21L-50,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|雙，共源|2.02GHz|14.5dB|28 V|10.2A|-|170 mA|8W|65 V|底... | ||||||
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BLD6G21LS-50,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|雙，共源|2.02GHz|14.5dB|28 V|10.2A|-|170 mA|8W|65 V|表... | ||||||
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BLD6G22L-50,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | MOSFET TRANS DOHERTY W/CDMA | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|雙，共源|2.14GHz|14dB|28 V|10.2A|-|170 mA|8W|65 V|底座安... | ||||||
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BLD6G22LS-50,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | MOSFET TRANS DOHERTY W/CDMA | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|雙，共源|2.14GHz|14dB|28 V|10.2A|-|170 mA|8W|65 V|表面貼... | ||||||
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BLM6G10-30G,135 | NXP Semiconductors | 16-HSOP | MOSFET RF Amp Chip Single GP 1GHz 65V | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，... | ||||||
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BLM6G22-30,135 | NXP Semiconductors | 16-HSOPF | MOSFET RF Amp Chip Sgl Pwr Amp 2.2GHz 65V 18Pin | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：500，... | ||||||
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BLM6G22-30G,135 | NXP Semiconductors | 16-HSOP | MOSFET RF Amp Chip Sgl Pwr Amp 2.2GHz 65V 18Pin | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：500，... | ||||||
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BMS4007 | ON Semiconductor | TO-220-3 整包 | MOSFET POWER MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：6... | ||||||
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BSD840N L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：0.88 A... | ||||||
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BSD840NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2952 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：880 m... | ||||||
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BSF024N03LT3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSF024N03LT3GXT BSF024N03LT3GXUMA1 SP0006169... | ||||||
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BSF030NE2LQ | Infineon Technologies | WDSON-2 | 3859 | MOSFET N-KAN | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：75 A，... | ||||||
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BSF045N03LQ3 G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET N-CH | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSF045N03MQ3 G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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