| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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ALD114904PAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114904SAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | 31 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114913PAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114913SAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | 245 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114935PAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114935SAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD210800APCL | Advanced Linear Devices | 16-PDIP | 12 | MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，最大工作溫度：+ 70 C，安裝風格：Through Hole，封裝形式：PDIP-16，... | ||||||
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ALD210800ASCL | Advanced Linear Devices | 16-SOIC | 37 | MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，最大工作溫度：+ 70 C，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOIC-16，包裝形式：... | ||||||
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ALD210800PCL | Advanced Linear Devices | 16-PDIP | MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，最大工作溫度：+ 70 C，安裝風格：Through Hole，封裝形式：PDIP-16，... | ||||||
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ALD210800SCL | Advanced Linear Devices | 16-SOIC | MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，最大工作溫度：+ 70 C，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOIC-16，包裝形式：... | ||||||
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ALD212900APAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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ALD212900ASAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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ALD212900PAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | 34 | MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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ALD212900SAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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AUIRL1404S | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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AUIRL1404STRL | International Rectifier | D-PAK（TO-252AA） | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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AUIRL1404STRR | International Rectifier | D2PAK | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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AUIRL1404Z | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16... | ||||||
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AUIRL1404ZL | International Rectifier | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16... | ||||||
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AUIRL1404ZS | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16... | ||||||
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