| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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ALD111933PAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | MOSFET Dual N-Channel | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD111933SAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | 500 | MOSFET Dual N-Channel | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD1121EPA | Advanced Linear Devices | PDIP-8 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD1121EPAL | Advanced Linear Devices | PDIP-8 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD1121ESA | Advanced Linear Devices | SOIC-8 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，配置... | ||||||
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ALD1121ESAL | Advanced Linear Devices | SOIC-8 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD1123EPC | Advanced Linear Devices | PDIP-16 | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD1123EPCL | Advanced Linear Devices | PDIP-16 | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD1123ESC | Advanced Linear Devices | SOIC-16 | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，配置... | ||||||
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ALD1123ESCL | Advanced Linear Devices | SOIC-16 | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114804APCL | Advanced Linear Devices | 16-PDIP | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114804ASCL | Advanced Linear Devices | 16-SOIC | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114804PCL | Advanced Linear Devices | 16-PDIP | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114804SCL | Advanced Linear Devices | 16-SOIC | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114813PCL | Advanced Linear Devices | 16-PDIP | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114813SCL | Advanced Linear Devices | 16-SOIC | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114835PCL | Advanced Linear Devices | 16-PDIP | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114835SCL | Advanced Linear Devices | 16-SOIC | 290 | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch | |
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114904APAL | Advanced Linear Devices | 8-PDIP | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices | 8-SOIC | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | ||
| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... | ||||||
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