| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIZ728DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SiZ730DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 175 | MOSFET 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：12.9 A, 26.... | ||||||
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SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：16 A, 40 A，電... | ||||||
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SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | 24,244 | MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：28 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：40 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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RP1A090ZPTR | ROHM Semiconductor | 6-SMD，扁平引線 | MOSFET Nch -12V -9A MOSFET | ||
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，漏極連續電... | ||||||
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RP1E050RPTR | ROHM Semiconductor | - | 95 | MOSFET Pch -30V -5A MOSFET | |
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續電... | ||||||
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RP1E090RPTR | ROHM Semiconductor | MPT6 | MOSFET Pch -30V -9A MOSFET | ||
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續電... | ||||||
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RP1E100RPTR | ROHM Semiconductor | 6-SMD，扁平引線 | MOSFET Pch -30V -10A MOSFET | ||
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續電... | ||||||
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RMW130N03TB | ROHM Semiconductor | - | 4,815 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 13A | |
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：13 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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RMW150N03TB | ROHM Semiconductor | - | 1,738 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 15A | |
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：15 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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RMW180N03TB | ROHM Semiconductor | - | 2,415 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 18A | |
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：18 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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RMW200N03TB | ROHM Semiconductor | 8-SMD，扁平引線 | 3 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 20A | |
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：20 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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RMW280N03TB | ROHM Semiconductor | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 28A | ||
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：28 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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S-90N0113SMA-TF | Seiko Instruments | SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 30 Volt 1.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Seiko Instruments，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連... | ||||||
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