| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SISA18DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.4 V，漏極連續電... | ||||||
|
SISC0,3N06D | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Wafer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC03N06DX1SA1 SISC03N06DZJ SP00001... | ||||||
|
|
SISC0,3N06E1,0 | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Wafer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC03N06E10X1SA1 SISC03N06E10ZJ SP0... | ||||||
|
|
SISC0,50N10D | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Waffer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC050N10DX1SA1 SISC050N10DZJ SP00... | ||||||
|
|
SISC0,97N24D | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Waffer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC097N24DX1SA1 SISC097N24DZJ SP00... | ||||||
|
|
SISC1,40N60D | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Wafer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC140N60DX1SA1 SISC140N60DZJ SP000... | ||||||
|
|
SISC1,85N06L | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Wafer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC185N06LX1SA1 SISC185N06LZJ SP000... | ||||||
|
|
SISC2,62SN06L | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Wafer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC262SN06LX1SA1 SISC262SN06LZJ SP0... | ||||||
|
|
SISC2,9N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Wafer Pack，工廠包裝數量：1，零件號別名：SISC29N20DX1SA1 SISC29N20DZJ SP00001... | ||||||
|
|
SISC6,24P06 | Infineon Technologies | MOSFET P-KAN | |||
| 參數：制造商：Infineon，包裝形式：Reel，工廠包裝數量：3000，零件號別名：SISC624P06X3MA1 SISC624P06ZM SP00001395... | ||||||
|
SM6K2T110 | ROHM Semiconductor | SMT6 | MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-23-6 | ||
| 參數：制造商：ROHM Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
|
|
SMA640ATR | STMicroelectronics | SOT-323-6 | MOSFET Hi-Gain Lo-Noise Amp | ||
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：MOSFET，RoHS：否，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-323-6，包裝形式：Reel，... | ||||||
|
|
SMBF1066T1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SPCL 200V | |||
| 參數：制造商：ON Semiconductor，產品種類：MOSFET，包裝形式：Reel，... | ||||||
|
SMBJ350A-13-F | Diodes Inc. | SMB | 3,000 | MOSFET Transient Voltage Su SMB T&R 3K | |
| 參數：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
|
|
SIM400-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-923 | MOSFET 60V 0.35A 1.9W 3.9ohms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：0.35 A，電阻汲極/... | ||||||
|
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair? | 35 | MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
|
SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
|
SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
|
|
SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 77 | MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SIZ704DT-GE3，... | ||||||
|
SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 17,327 | MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：16 A, 35 A，電阻汲極/源極 RDS（導... | ||||||
647/1300 首頁 上頁 [642] [643] [644] [645] [646] [647] [648] [649] [650] [651] [652] 下頁 尾頁
