| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7892BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 1,581 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7894ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7894ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI7898DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 4.8A 0.085Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7898DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 4.8A 5.0W 85mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 9,000 | MOSFET 20V 8.5A 1.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI7900AEDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7901EDN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 6.3A 1.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7901EDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7901EDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7904BDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7904BDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET Dual P-Ch 20V 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7904DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V N-CH | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7904DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 7.7A 2.8W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7905DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7905DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7909DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 12V 7.7A 2.8W 37mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 12V 7.7A 2.8W 37mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7911DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7911DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 5.7A 2.5W 51mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
632/1299 首頁 上頁 [627] [628] [629] [630] [631] [632] [633] [634] [635] [636] [637] 下頁 尾頁
