| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7868ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7868ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
|
SI7872DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 10A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +... | ||||||
|
SI7872DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 10A 0.022Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +... | ||||||
|
SI7872DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +... | ||||||
|
|
SI7880ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,000 | MOSFET 30V 40A 83W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7880ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7882DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 22A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7882DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI7882DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI7884BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 58A 46W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7884DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 20A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7884DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 20A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7886ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7886ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7888DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7888DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7892ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7892BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,000 | MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
631/1299 首頁 上頁 [626] [627] [628] [629] [630] [631] [632] [633] [634] [635] [636] 下頁 尾頁
