| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Si7792DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
|
|
Si7794DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 60 Amps 48 Watts | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
|
SI7802DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 250V 1.95A 3.8W 435mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7802DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 250V 1.95A 3.8W 435mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7804DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 10A 0.0185Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7804DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 10A 3.5W 18.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7806ADN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 0.011Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7806ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7806DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30V 14.4A 3.8W 11mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7810DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,480 | MOSFET 100V 5.4A 3.8W 62mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7810DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 5.4A 3.8W 62mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7812DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6,356 | MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7812DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 40,767 | MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7818DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6,645 | MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7818DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,990 | MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7820DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7820DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7840BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 14A 4.1W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7840BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16.5A 4.1W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7840DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 18A 5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
628/1299 首頁 上頁 [623] [624] [625] [626] [627] [628] [629] [630] [631] [632] [633] 下頁 尾頁
