| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7634DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 40A 48W 5.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7635DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 54W 4.9mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，封裝形式：PowerPAK SO-8，包裝形式：Reel，零件號別名：SI7635DP-GE3，... | ||||||
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SI7636DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 28A 0.004Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7636DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7652DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7652DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7655DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8S | 17,810 | MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 40 A，電阻汲... | ||||||
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SI7658ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,685 | MOSFET 30V 60A 83W 2.2mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7658DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7664DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7664DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7668ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7668ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7674DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7674DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.3mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7682DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7682DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7684DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7684DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7686DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,000 | MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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