| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7530DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 60V 4.6/5.0A 1.4/1.5 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
|
SI7530DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 60V 4.6/5.0A 75/64mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
|
SI7540DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 11.8/8.9A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
|
|
SI7540DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET N-and P-CHANNEL 30V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
|
SI7540DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 17/32mohomS@4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
|
SI7601DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7601DN-T1-GE3 | Vishay | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7606DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：125 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7611DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 40V 18A 39W 25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
SI7613DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 52,950 | MOSFET 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
|
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 170 | MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 35 A，電阻汲... | ||||||
|
|
SI7615DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,844 | MOSFET 20V 35A 52W 3.9mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
|
SI7617DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 241,363 | MOSFET 30V 35A 52W 12.3mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，... | ||||||
|
SI7620DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 150V 13A 5.2W 126mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電... | ||||||
|
|
SI7623DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI7625DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,600 | MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 3 A，電阻汲... | ||||||
|
|
SI7629DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 20,800 | MOSFET 20V 35A 52W | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續電流：- 35 A，電阻... | ||||||
|
SI7633DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 60A 104W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
SI7634BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 48W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7634BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 744 | MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
625/1299 首頁 上頁 [620] [621] [622] [623] [624] [625] [626] [627] [628] [629] [630] 下頁 尾頁
