| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7456DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7456DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7456DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7457DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7457DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7459DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7459DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7460DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7460DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7461DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 60V 14.4A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7461DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7461DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7462DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7462DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7463DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7463DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7464DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7464DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7465DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 56,763 | MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7465DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,244 | MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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