| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7445DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7446BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7446BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 4.8W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7446DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7446DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7447ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 83.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7447ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 83.3W 6.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7448DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 22A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7448DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 22A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7448DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 22A 5.2W 6.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7450DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 200V 5.3A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7450DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 5.3A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7450DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 5.3A 5.2W 80mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7452DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 19.3A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7452DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7454DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 100V 7.8A 4.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7454DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 17,981 | MOSFET 100V 7.8A 4.8W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7454DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7455DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 28A 83.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7455DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 28A 83.3W 25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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