| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7116DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 9,750 | MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7116DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7117DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3,000 | MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7117DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7119DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7119DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 20,986 | MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7120DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 10A 0.019Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7120DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 10A 3.8W 19mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7121DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6,250 | MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，... | ||||||
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SI7123DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7129DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 12,046 | MOSFET 30V 35A 52.1W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7135DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 3.9mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7136DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7136DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7137DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,655 | MOSFET -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SI7138DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7138DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7139DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A P-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續(xù)電流：- 40 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）... | ||||||
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SI7141DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 49,013 | MOSFET -20V 1.9mOhm@10V 60A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 60 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）... | ||||||
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SI7143DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 982 | MOSFET 30V 35A P-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續(xù)電流：- 35 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）... | ||||||
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