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點(diǎn)擊查看SI5944DU-T1-GE3參考圖片 SI5944DU-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? ChipFet 雙 MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5947DU-T1-E3參考圖片 SI5947DU-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? ChipFet 雙 MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S)
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5947DU-T1-GE3參考圖片 SI5947DU-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? ChipFet 雙 MOSFET 20V 6.0A 10.4W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI5975DC-T1 Vishay/Siliconix 1206-8 ChipFET MOSFET 12V 4.1A 2.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI5975DC-T1-E3參考圖片 SI5975DC-T1-E3 Vishay/Siliconix 1206-8 ChipFET? MOSFET 12V 4.1A 2.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI5980DU-T1-GE3參考圖片 SI5980DU-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? ChipFet 雙 MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI5997DU-T1-GE3參考圖片 SI5997DU-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? ChipFet 雙 MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,...
點(diǎn)擊查看SI5999EDU-T1-GE3參考圖片 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? ChipFet 雙 MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 6 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):...
點(diǎn)擊查看SI5401DC-T1-E3參考圖片 SI5401DC-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI5401DC-T1-GE3參考圖片 SI5401DC-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI5402BDC-T1-E3參考圖片 SI5402BDC-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 30V 6.7A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5402BDC-T1-GE3參考圖片 SI5402BDC-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5402DC-T1參考圖片 SI5402DC-T1 Vishay/Siliconix 1206-8 ChipFET MOSFET 30V 6.7A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5402DC-T1-E3參考圖片 SI5402DC-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 30V 6.7A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5402DC-T1-GE3參考圖片 SI5402DC-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI5402DC-T2 Vishay/Siliconix 1206-8 ChipFET MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI5402DC-T3 Vishay/Siliconix 1206-8 ChipFET MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5403DC-T1-GE3參考圖片 SI5403DC-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,...
點(diǎn)擊查看SI5404BDC-T1-E3參考圖片 SI5404BDC-T1-E3 Vishay/Siliconix 1206-8 ChipFET? 1 MOSFET 20 Volt 7.5 Amp 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI5404BDC-T1-GE3參考圖片 SI5404BDC-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET 20V 7.5A 2.5W 28mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...

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