| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI9933BDY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET DUAL PCH POWER TRENCH MO | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
SI9933BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET -20V P-CHAN | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI9933BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI9933CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 10,806 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 8,362 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9934BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI9934BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI9934DY | Fairchild Semiconductor | SO-8 | MOSFET SO8 DUAL PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
|
SI9936BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0A 0.035Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9936BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI9936DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC | MOSFET SO8 DUAL NCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/... | ||||||
|
SI9936DY,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TRENCH<=30 | ||
| 參數：制造商：NXP，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5 A，電阻汲極/源極 RDS（導... | ||||||
|
|
SI9939DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3... | ||||||
|
|
SI9942DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3/2.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3... | ||||||
|
|
SI9945AEY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.7 A，電... | ||||||
|
|
SI9945AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9945AEY-T1 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9945AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9945AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
594/1299 首頁 上頁 [589] [590] [591] [592] [593] [594] [595] [596] [597] [598] [599] 下頁 尾頁
