| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：190 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：- 4.5 A，電阻... | ||||||
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SI9801DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 4.5/4A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極連續電流：4... | ||||||
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SI9802DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 4.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9803DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 5.9A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI9804DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 7.8A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：7.8 A，電... | ||||||
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SI9806DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 7/1.8 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：7 A，電阻汲... | ||||||
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SI9925DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5A 5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9926ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCH DUAL MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：4.8 A，電... | ||||||
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SI9926ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCh Dual MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：4.8 A，電... | ||||||
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SI9926ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20 Volt 6.0 Amp 2.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9926BDY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V (G-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：6.2 A，電... | ||||||
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SI9926BDY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：6.2 A，電... | ||||||
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SI9926BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20 Volt 8.2 Amp 2.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.2A 2.0W 20mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9926CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 9,862 | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 37,060 | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9926DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 DUAL NCH 20V | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/... | ||||||
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SI9928DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5/3.4A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：5... | ||||||
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SI9933ADY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 DUAL PCH 30V | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
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