| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 3,000 | MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
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SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 646 | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N-CH DUAL MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，漏極連續電流：4.5 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.... | ||||||
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SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA911DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA912DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 12,000 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA913DJ-T1-E3 | Vishay | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 70mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA914DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA915DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SIA917DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 110mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA920DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 8V 4.5A 7.8W 27mOhms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 5,882 | MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 2,940 | MOSFET -20V 54mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：- 4.5 A，電阻... | ||||||
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SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
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