| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI2312DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 3.77A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2314EDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 4.9A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2314EDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 110,708 | MOSFET 20V 4.9A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2315BDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 50 | MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 164 | MOSFET 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2315DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 3.5A 1.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2315DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 3.5A 1.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2316BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 16,283 | MOSFET 30V 4.5A 1.66W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2316BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 58,427 | MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2316DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 30V 3.4A 0.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2316DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22,026 | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2316DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2318CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 240 | MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，漏極連續電流：5.6 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.... | ||||||
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SI2318DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 17,701 | MOSFET 40V 6A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2318DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 15,085 | MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，漏極連續電流：- 4.4 A，電阻汲極/源極 RDS（導通... | ||||||
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SI2319DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 40V 3.0A 0.75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2319DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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