| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI2301BDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 2.4A 0.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 171,228 | MOSFET 20V 2.0A 0.9W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 44,504 | MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 2.3A 1.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.3 A，電阻... | ||||||
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SI2301-TP | Micro Commercial Components (MCC) | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 56,631 | MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S | |
| 參數：制造商：Micro Commercial Components (MCC)，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2302 | Micro Commercial Components (MCC) | SOT-23-3 | MOSFET 20V 3A | ||
| 參數：制造商：Micro Commercial Components (MCC)，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿... | ||||||
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SI2302ADS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 2.4A 0.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2302ADS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2302CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 296,219 | MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 48,029 | MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
SOT23.jpg)
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SI2302DS,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 20V 2.5A | ||
| 參數：制造商：NXP，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI2302DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 2.8A 1.25 | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.8 A，電阻... | ||||||
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SI2302-TP | Micro Commercial Components (MCC) | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 134,427 | MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S | |
| 參數：制造商：Micro Commercial Components (MCC)，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
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SI2303BDS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 1.64A 1.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2303BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 1.7A 1.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2303BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 1.64A 0.9W 200mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2303CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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