| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4408DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 21A 1.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4408DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 4,823 | MOSFET 20 Volt 21 Amp 3.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4408DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 20V 21A 3.5W 4.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4409DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 150V 1.3A 4.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4409DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 150V 1.3A 4.6W 1.2ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4410BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4410BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10A 2.5W 13.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4410DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC | MOSFET 30V N-Ch. FET | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/... | ||||||
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SI4410DY /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 參數：制造商：NXP，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電... | ||||||
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SI4410DY,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 參數：制造商：NXP，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電... | ||||||
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SI4410DY_Q | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V N-Ch. FET | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/... | ||||||
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SI4410DYPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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SI4410DY-REVA | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：10 A，電阻... | ||||||
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SI4410DY-REVA-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4410DY-T1-A-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4410DY-T1-REVA | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4410DYTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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SI4411DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13A 3.0W 10mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4411DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13A 3.0W 10mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4412ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲... | ||||||
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