| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 71,032 | MOSFET 30V 19.7A 5.7W 9.8mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI4425DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 PCH 30V | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
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SI4425DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4425DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲... | ||||||
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SI4425DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4426DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4426DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4426DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4426DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4426DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 20V 8.5A 2.5W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：9.4 A，電... | ||||||
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SI4427DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：9.4 A，電... | ||||||
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SI4427DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4429EDY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：13 A，電阻... | ||||||
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SI4429EDY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：13 A，電阻... | ||||||
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SI4429EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 13 Amp 3.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4304DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 36A 7.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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