| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4230DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 3.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.5A 3.1W 19.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4214DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.5A 3.1W 23.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4134DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 14A 5.0W 14mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4134DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 14A 5.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4136DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 20V 46A 7.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4154DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 7,500 | MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4156DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 5,409 | MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4158DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4160DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,500 | MOSFET 30V 25.4A 5.7W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4162DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 82 | MOSFET 30V 19.3A 5.0W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4164DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 25,750 | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.2mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4166DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 4,722 | MOSFET 30V 30.5A 6.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4168DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 1 | MOSFET 30V 24A 5.7W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4170DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：21.8 A，電阻汲極/... | ||||||
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SI4172DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 15A 4.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4174DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 10,589 | MOSFET 30V 17A 5.0W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4176DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SI4178DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SI4186DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 2,594 | MOSFET 20V 35.8A 6.0W 2.6mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI4186DY-GE3，... | ||||||
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