| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3460DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 6.8A 2.0W 38mohm @ 1.8V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4056DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 100V 23mOhm@10V 11.1A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續電流：11.1 A，電阻汲極... | ||||||
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SI3861DV | Fairchild Semiconductor | SuperSOT-6 | MOSFET 25/8V/20/8V NCh/PCh Load Switch | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SuperSOT-6，包裝形式：Reel，... | ||||||
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SI4116DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 25V 18A 5.0W 8.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4116DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 22,120 | MOSFET 25V 18A 5.0W 8.6mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4114DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4114DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4128DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 7,640 | MOSFET 30V 10.9A 5.0W 24mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4128DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 14 | MOSFET 30V 10.9A 5.0W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4124DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4126DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 39A 7.8W 2.75mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 40V 27.2A 6.0W 4.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 3,585 | MOSFET DUAL N-CH 20V (D-S) | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4204DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 18,533 | MOSFET 20V 19.8A DUAL N-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：19.8 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0... | ||||||
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SI4200DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI4210DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4226DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4226DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4228DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 25 Volts 8 Amps 3.1 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續電流... | ||||||
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