| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 32,695 | MOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3457DV | Fairchild Semiconductor | SuperSOT?-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
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SI3457DV_Q | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- ... | ||||||
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SI3457DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3457DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3458BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 6,000 | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 19,975 | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3458DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 60V 3.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3458DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 60V 3.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3458DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3459BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 78,376 | MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3459DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 60V 2.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3459DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 60V 2.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3459DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3460BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 14,859 | MOSFET 20V 8.0A 3.5W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 7.9A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：7.9 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.... | ||||||
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SI3460DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 6.8A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3460DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 6.8A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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