| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3442CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 8A 2.7W 27mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
|
SI3442DV | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE NCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/... | ||||||
|
SI3442DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP | MOSFET 20V 4.0A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：+/- 4 A，... | ||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 4.4A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3443BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3443CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 2,778 | MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 1,016 | MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3443CVD-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 20V 4.7A 3.2W | |||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數量：3000，零件號別名：SI3443CVD-E3，... | ||||||
|
SI3443DV | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
|
SI3443DV_Q | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
|
SI3443DV-T1 | Vishay/Siliconix | SuperSOT-6 | MOSFET 20V 4.4A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI3443DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SuperSOT-6 | MOSFET 20V 4.4A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI3443DVTRPBF | International Rectifier | Micro6?（TSOP-6） | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 11nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V... | ||||||
|
|
SI3445ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42 mohms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI3445ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI3445DV | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
|
SI3445DV_Q | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- ... | ||||||
|
|
SI3445DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 8V 5.6A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI3445DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8V 5.6A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI3445DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
550/1299 首頁 上頁 [545] [546] [547] [548] [549] [550] [551] [552] [553] [554] [555] 下頁 尾頁
