| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3407DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 8.0A 4.2W 24mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3407DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 27 | MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3410DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 8.0A 4.1W 19.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3410DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3420DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 200V 0.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.37 A... | ||||||
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SI3422DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 200V 0.31A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3424BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 8.0A 2.98W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3424BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 5,450 | MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3424DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 6.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3424DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 6.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3424DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.7A 2.0W 28mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3430DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 100V 8A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3430DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 100V 8A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3430DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3433BDV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 5.6A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 4.3A 2W 17 | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | 1 | MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 4.3A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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