| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3481DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 5.3A 2.0W 48mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3483CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 8,928 | MOSFET 30V 8.0A 4.2W 34mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 111,714 | MOSFET 30V 8.0A 4.2W 34mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3483DV-T1-E3 | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V PCHANNEL | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式... | ||||||
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SI3483DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.2A 2.0W 35mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3493BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 7,899 | MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3493BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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Si3493DV-T1 | Vishay | TSOP-6 | MOSFET 20V 7.0A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3493DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3493DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3495DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 24mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連... | ||||||
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SI3495DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 24mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連... | ||||||
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SI3499DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI3499DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI3499DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 4,312 | MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI3529DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI3529DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI3552DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 2.5/1.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI3552DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 2.5/1.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI3552DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 1,125 | MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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