| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4982DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4992EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 75V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4992EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 75V 4.8A 2.4W 48mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3831DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 7.0V 2.4A 1.5W 170mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI3831DV-GE3，... | ||||||
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SI3850ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A 1.08W 300/410mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI3850DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.2/0.85A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續... | ||||||
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SI3851DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3851DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3851DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3853DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.8A 1.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3853DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 1.8A 1.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3853DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3803DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET TSOP-6 8V 3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.14 Ohms，配置：Q... | ||||||
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SI3805DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3805DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3812DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.4A 1.15 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3812DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 2.4A 1.15 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3812DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3481DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 5.3A 0.048Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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