| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4967DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：7.5 A，電阻... | ||||||
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SI4967DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4967DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：7.5 A，電阻... | ||||||
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SI4967DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4967DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 7.5A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4971DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.2A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI4972DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4972DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10.8/7.2A 14.5/26.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4973DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET P-CHANNEL 25V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI4973DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.6A 2.0W 23mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI4974DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4980DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4980DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.7 A，電... | ||||||
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SI4980DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.7 A，電... | ||||||
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SI4980DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4980DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2.0W 75mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4982DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：2.6 A，... | ||||||
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SI4982DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4982DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：2.6 A，... | ||||||
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SI4982DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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