| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4953DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 DUAL PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
|
SI4953DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.9 A，電... | ||||||
|
|
SI4953DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 4.9 Amp 2.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4955DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/20V 5.0/7.0A 5.4/2.7mohm@10/4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V, 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
|
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 7,822 | MOSFET 20V 6.2A 2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4963DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET Dual PCh 20V 240a | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
|
SI4963DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4963DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：6.2 A，電... | ||||||
|
|
SI4963DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4965DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/... | ||||||
|
|
SI4965DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/... | ||||||
|
|
SI4965DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI4965DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI4965DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
|
|
SI4966DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：7.1 A，電... | ||||||
|
|
SI4966DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：7.1 A，電... | ||||||
|
|
SI4966DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4966DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4966DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
540/1299 首頁 上頁 [535] [536] [537] [538] [539] [540] [541] [542] [543] [544] [545] 下頁 尾頁
