| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4933DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 9.8A 2.0W 14mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4936ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI4936ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI4936ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 21,858 | MOSFET 30V 5.9A 2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 22,869 | MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 14,775 | MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,712 | MOSFET 30V 5.8A 2.3W 40mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET Dual NCh 30V 400a MOSFET | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/... | ||||||
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SI4936DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.8 A，電... | ||||||
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SI4936DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4940DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.2 A，電... | ||||||
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SI4940DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.2 A，電... | ||||||
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SI4940DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.2 A，電... | ||||||
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SI4940DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4940DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4941EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4942DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 40V 7.4A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4942DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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