| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4924DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.7/9A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.3 A, ... | ||||||
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SI4925BDY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.3 A，電... | ||||||
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SI4925BDY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.3 A，電... | ||||||
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SI4925BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4925BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI4925DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET Dual PCh 30V/20V | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
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SI4925DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4925DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4925DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4926DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.3/10.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：5.3 A, 7.5 ... | ||||||
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SI4927DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4927DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：7.4 A，電... | ||||||
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SI4927DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：7.4 A，電... | ||||||
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SI4927DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4931DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 8.9A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4931DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,478 | MOSFET 12V 8.9A 2.0W 18mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4932DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 89 | MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4933DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 9.8A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4933DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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