| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4812DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 9A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6.9 A，電... | ||||||
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SI4812DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 9A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6.9 A，電... | ||||||
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SI4812DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | 15 | MOSFET 30V 9A 2.5W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4814BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4814BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4814DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7/7.4A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：5.5 A, 5.7 ... | ||||||
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SI4814DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7/7.4A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：5.5 A, 5.7 ... | ||||||
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SI4814DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 7.0/7.4A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4816BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET +30/+30V 7.8/11.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4816DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4816DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4816DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.3 A, ... | ||||||
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SI4816DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4816DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/10A 1.4/2.4W 22/13mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4818DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4818DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4818DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：5.5 A, 7 A，... | ||||||
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SI4818DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI4818DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/9.5A 22/15.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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