| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4532ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI4532DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC | MOSFET 30V Dual N/P FET Enhancement Mode | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+... | ||||||
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SI4532DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3... | ||||||
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SI4532DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5... | ||||||
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SI4539ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5... | ||||||
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SI4539ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2.0W 36/53mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 COMP | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+... | ||||||
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SI4539DY_Q | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 COMP | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊... | ||||||
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SI4539DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5... | ||||||
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SI4539DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4542DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC | MOSFET SO8 SINGLE NCH/PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+... | ||||||
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SI4542DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：6... | ||||||
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SI4542DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：6... | ||||||
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SI4542DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4542DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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