| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4420DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DYPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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SI4420DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DYTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏... | ||||||
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SI4433DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 3.9A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.9 A，電阻... | ||||||
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SI4433DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 3.9A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.9 A，電阻... | ||||||
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SI4433DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20 Volt 3.9 Amp 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4434DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 30 | MOSFET 250V 3.0A 0.155Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4434DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 460 | MOSFET 250V 3.0A 3.1W 155mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4435BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9.1A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4435BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 8A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4435BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9.1A 2.5W 20mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4435DDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4435DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V SinGLE P-Ch | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
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SI4435DY_Q | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V SinGLE P-Ch | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
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SI4435DYPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：20 V... | ||||||
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SI4435DY-REVA | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 8A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲... | ||||||
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SI4435DY-REVA-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 8A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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