| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 1,467 | MOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4463DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 PCH 20V | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
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SI4463DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4463DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：9 A，電阻汲... | ||||||
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SI4463DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 10A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4431BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 57,867 | MOSFET 30V (D-S) 7.5A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 3 | MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 30,270 | MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 PCH 30V | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，... | ||||||
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SI4431DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.8 A，電... | ||||||
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SI4431DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 7.0 Amp 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.3 A，電... | ||||||
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SI4431ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/... | ||||||
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SI4420DY,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET TRENCH<=30 | ||
| 參數：制造商：NXP，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：12.5 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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