| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SQM120N04-1M7L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | 1401 | MOSFET 40V 120A 375W NCh Automotive | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電... | ||||||
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SQM200N04-1M1L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-7L | 785 | MOSFET 40V 200A, 375W Automotive | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQM40N10-30-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：3.5 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SQM40N15-38-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 150V 40A 166W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM47N10-24L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 47A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SPP35N10 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 100V 35A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU01N60C3 | Infineon Technologies | TO-251 | 1498 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.8A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU02N60C3 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 1.8A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU02N60S5 | Infineon Technologies | TO-251-3 | 1345 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU03N60C3 | Infineon Technologies | TO-251 | 1110 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU03N60S5 | Infineon Technologies | TO-252 | 215 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU04N60C3 | Infineon Technologies | PG-TO-251 | 1468 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 4.5A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU04N60S5 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 4.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU07N60C3 | Infineon Technologies | TO-251 | 1677 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 7.3A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU07N60S5 | Infineon Technologies | PG-TO251-3-21 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPU09P06PL | Infineon Technologies | P-TO251-3-1 | MOSFET P-CH 60V 9.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPU18P06P | Infineon Technologies | PG-TO251-3 | MOSFET P-CH 60V 18.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPU30P06P | Infineon Technologies | PG-TO251-3 | MOSFET P-CH 60V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPW07N60CFD | Infineon Technologies | TO-247 | 57 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.7 Ohms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPW11N60C3 | Infineon Technologies | TO-247 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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