| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SUM110N03-03P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 30V 110A 375W 2.6mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N03-04P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263（D2Pak） | MOSFET 30V 110A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-02L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 110A 437.5W 2.3mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-03-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-03L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 110A 230W 3.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-04 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 110A 250W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-04-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 40V 110A 250W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-05H-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 40V 110A 150W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263（D2Pak） | MOSFET 40V 110A 312W 2.1mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N04-2M3L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263（D2Pak） | MOSFET 40V 110A 375W 2.3mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N05-06L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 55V 110A 158W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N05-06L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263（D2Pak） | MOSFET 55V 100A 158W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N06-3M4L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263（D2Pak） | MOSFET 60V 110A 375W 3.4mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N06-3M9H-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 60V 110A 375W 3.9mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N08-07P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 75V 110A 208.3W 8.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110N10-09 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 100V 110A 375W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUM110N10-09-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 100V 110A 375W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUM110P04-04L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 9,352 | MOSFET 40V 110A 375W 4.2mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUM110P04-05-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 22,652 | MOSFET 40V 110A 375W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUM110P06-07L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 7,201 | MOSFET 60V 110A 375W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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