| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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MDI145-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 145 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MDI150-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 150 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MDI200-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 200 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MDI300-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 300 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MDI400-12E4 | Ixys | Y3-Li | IGBT 模塊 400 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MDI550-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 550 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MDI75-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 75 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MKI100-12E8 | Ixys | E3 | IGBT 模塊 IGBT (NPT3) | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續... | ||||||
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MKI100-12F8 | Ixys | E3 | 5 | IGBT 模塊 100 Amps 1200V | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：5，... | ||||||
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MKI50-06A7 | Ixys | E2 | IGBT 模塊 50 Amps 600V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... | ||||||
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MKI50-12F7 | Ixys | E2 | 6 | IGBT 模塊 50 Amps 1200V | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：6，... | ||||||
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MKI75-06A7 | Ixys | E2 | IGBT 模塊 75 Amps 600V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... | ||||||
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MKI75-06A7T | Ixys | E2 | IGBT 模塊 75 Amps 600V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... | ||||||
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MKI75-12E8 | Ixys | E3 | IGBT 模塊 75 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續... | ||||||
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MKI80-06T6K | Ixys | E1 | IGBT 模塊 80 Amps 600V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：10，... | ||||||
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MWI25-12A7T | Ixys | E2 | IGBT 模塊 25 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集... | ||||||
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MWI30-06A7T | Ixys | E2 | IGBT 模塊 30 Amps 600V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集電... | ||||||
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MWI35-12A7T | Ixys | E2 | IGBT 模塊 35 Amps 1200V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集... | ||||||
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MWI451-17E9 | Ixys | - | IGBT 模塊 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A | ||
| 參數：制造商：IXYS，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... | ||||||
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MWI50-06A7T | Ixys | E2 | IGBT 模塊 50 Amps 600V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集電... | ||||||
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