Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1303EDL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 20V 0.72A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI1303EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 20V 0.72A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI1304BDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 30V 0.9A 0.37W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI1304DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 25V 0.75A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI1304DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 25V 0.75A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI1305DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
|
|
SI1305DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
|
SI1305EDL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
|
|
SI1305EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
|
|
SI1307DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI1307DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-3 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI1307EDL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI1307EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI1315DL-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-3 | MOSFET 8V .9A .4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI1315DL-GE3，... | ||||||
|
|
SI1330EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | 38,828 | MOSFET 60V 0.25A 0.31W 3.0ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI1400DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI1400DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 20V 1.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI1401EDH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：10 V，漏極連續(xù)電流：- 4 A，電阻汲... | ||||||
|
SI1402DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 3.4A 0.95W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI1403BDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 3,732 | MOSFET 20V 1.5A | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
98/219 首頁 上頁 [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] 下頁 尾頁
