Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4420BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1037X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.84A 0.21W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1037X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.84A 0.21W 195mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1039X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165 mohms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1039X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1040X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET LOAD SWITCH W/ LEVEL SHIFT | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，漏極連續電流：0.43 A，電阻汲極/源極 RDS（導通... | ||||||
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SI1040X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 1,825 | MOSFET N- & P-Ch MOSFET 8V 890mohm @ 2.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，漏極連續電流：0.43 A，電阻汲極/源極 RDS（導通... | ||||||
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SI1046R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.606A 0.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1046R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1046X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.606A 0.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1046X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1050X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 8.0V 1.34A 236mW 86mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI1050X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 40,680 | MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI1051X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI1051X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W 122 mohms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI1054X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 1.32A 0.236W 95mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1054X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 1.32A 236mW 95mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1056X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.32A 236mW 89mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1056X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.32A 0.236W 89mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1058X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.3A 236mW 91mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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