Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SQ1420EEH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 60V 1.6A 3.3W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ1421EEH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70 | MOSFET 60V 1.6A 3.3W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ1431EH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70 | 2118 | MOSFET 30V 3A 3W P-Ch Automotive | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 2.8A 3.3W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SQ2310ES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23 | 2955 | MOSFET 20V 6A 2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：6 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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SQ2319ES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 40V 4.6A 3W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 4.6 A，電阻... | ||||||
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SQ2360EES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 4.4A 3W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.4 A，電阻汲極... | ||||||
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SQ2361EES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
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SQM110N04-03-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 40V 110A 375W 2.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQM110N04-04-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V 120A 250W 3.5mohm @ 10V | |||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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SQM110N05-06L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 55V 110A 158W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQM110N06-04L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 120A 437.5W 3.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQM110N06-06-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 120A 230W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：120 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQM120N04-1M7L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | 1401 | MOSFET 40V 120A 375W NCh Automotive | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：120 A，電... | ||||||
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SQM200N04-1M1L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-7L | 785 | MOSFET 40V 200A, 375W Automotive | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，漏極連續電流：200 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQM40N10-30-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：3.5 V，漏極連續... | ||||||
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SQM40N15-38-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 150V 40A 166W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM47N10-24L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 47A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQ3418EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 8A 5W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 7.4A 5W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：- 7.4 A，電阻... | ||||||
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