Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFBE30LPBF | Vishay/Siliconix | I2PAK | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 1,000 | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 960 | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF20STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 980 | MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF30S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF30SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBF30STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 1,026 | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBG20 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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