Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRL530STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 6,961 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 257 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL540STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 750 | MOSFET N-Chan 100V 28 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,067 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 1,823 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 130 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 983 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 3,100 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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