Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSS92 | Vishay/Siliconix | TO-18-3 | MOSFET 200V 0.15A 1.0W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.12 A... | ||||||
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2N7000KL-TR1 | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 60V (DS) .47A .8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7000KL-TR1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 60V (DS) .47A .8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002E | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22,818 | MOSFET 60V 240mA 0.5W 3.0ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 0.115A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002E-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 60V 0.24A T&R | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002E-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 0.24A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002E-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21,000 | MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002K-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 60V 0.3A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002K-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1,161,645 | MOSFET 60V 0.3A | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 772,164 | MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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2N7002-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3 | 1767 | MOSFET 60V 0.115A 0.2W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2,924 | MOSFET 60V 0.115A 0.2W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 7,985 | MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號(hào)別名：2N7002-GE3，... | ||||||
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2N6659 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 35V 1.8 OHM | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：35 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極... | ||||||
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2N6659-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 35V 1.8 Ohm | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：100，... | ||||||
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2N6660 | Vishay/Siliconix | TO-39-3 | 1578 | MOSFET 60V 0.99A | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N6660-E3 | Vishay/Siliconix | TO-205AD（TO-39） | MOSFET 60V 0.99A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N6661 | Vishay/Siliconix | TO-39-3 | 1500 | MOSFET 90V 0.9A | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：90 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N6661-2 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 90V 0.86A 6.25W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：90 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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