Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 77 | MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SIZ704DT-GE3，... | ||||||
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SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 17,327 | MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：16 A, 35 A，電阻汲極/源極 RDS（導... | ||||||
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SIZ728DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SiZ730DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | 175 | MOSFET 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：12.9 A, 26.... | ||||||
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SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：16 A, 40 A，電... | ||||||
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SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | 24,244 | MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：28 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair?（6x5） | MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：40 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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BS107 | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 200V 0.12A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極連續電流：0.12 A... | ||||||
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BS170KL-TR1 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 60V 0.47A 0.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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BS170KL-TR1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 60V 0.47A 0.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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BS250 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 45V 0.18A 0.83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：45 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極連續電流：0.18 A，... | ||||||
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BS250KL-TR1 | Vishay/Siliconix | TO-92-3 | MOSFET 60V 0.27A 0.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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BS250KL-TR1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-92-18RM | MOSFET 60V 0.27A 0.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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