Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關(guān)和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SIS452DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，漏極連續(xù)電流：35 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIS454DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 10,539 | MOSFET 20V 35A N-CH MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：35 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIS456DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：35 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIS468DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：3 V，漏極連續(xù)電流：... | ||||||
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SIS472DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 19,925 | MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SIS476DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 32,900 | MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.3 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SIS478DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SiS778DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SiS780DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 1 | MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SiS782DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 16 Amps 41 Watts | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SIS890DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,484 | MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：3 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：28 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIS892DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIS902DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 75V 4.0A 15.4W 186mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SISA04DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+ 20 V, - 1... | ||||||
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SISA10DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,820 | MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SISA12DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30V 25A 28W 4.3mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SISA18DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4 | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.4 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SIM400-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-923 | MOSFET 60V 0.35A 1.9W 3.9ohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：0.35 A，電阻汲極/... | ||||||
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SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair? | 35 | MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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