Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7705DN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7705DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 17,300 | MOSFET 30V 16A 27.7W 13.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7718DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 52W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7720DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7726DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 52W 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7738DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 30A 96W 38mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7738DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 30A 96W 38mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7742DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 83W 3.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7748DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 50A 56W 4.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7758DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7772DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.5 V，漏極連續電... | ||||||
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SI7774DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A N-CH MOSFET w/Shottky | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：60 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SI7784DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 35A 27.7W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7788DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7790DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 69W 4.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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Si7792DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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Si7794DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 60 Amps 48 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI7802DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 250V 1.95A 3.8W 435mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7802DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 250V 1.95A 3.8W 435mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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