Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SiHG17N60D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
|
SIHG20N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 8,128 | MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
|
|
SIHG22N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 500V 22A 312W 230mOhm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
|
SIHG22N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，漏極連續電流：22 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
SiHG22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHG22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 480 | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：21 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
SIHG22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-247 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電... | ||||||
|
|
SiHG24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Channel 650V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHG24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，漏極連續電流：24 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
SIHG25N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 500 | MOSFET 450V 25A 278W .17ohms @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，漏極連續電流：25 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
SiHG25N40D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 230 | MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
|
|
SiHG30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Channel 600V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHG30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 539 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：29 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
SIHG32N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 32A 390W 150mOhm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
|
SiHG32N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | 504 | MOSFET 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，漏極連續電流：30 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
|
|
SiHG460B-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電... | ||||||
|
|
SiHG47N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 500 | MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHG47N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：47 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
SIHG47N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | 466 | MOSFET N-CHANNEL 600V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電... | ||||||
119/219 首頁 上頁 [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] 下頁 尾頁
